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来源：雷竞技在线登录    发布时间：2024-04-17 20:33:01

  ROM的准确诞生时间，在现有的资料里都没有详细记载。我们只是大概知道，上世纪50年代，集成电路发明之后，就有了

  掩模ROM，是真正的传统ROM，全称叫做掩模型只读存储器（MASK ROM）。

  这种传统ROM是直接把信息“刻”进存储器里面，完全写死，只读，不可擦除，更不可修改。它的灵活性很差，万一有内容写错了，也没办法纠正，只能废弃。

  当时，Bosch Arma公司带有军方背景，主要研究导弹、卫星和航天器制导系统。

  周文俊发明的PROM，用于美国空军洲际弹道导弹的机载数字计算机。它能够最终靠施加高压脉冲，改变存储器的物理构造，以此来实现内容的一次修改（编程）。

  一些新型的PROM，能够最终靠专用的设备，以电流或光照（紫外线）的方式，熔断熔丝，达到改写数据的效果。

  1959年，贝尔实验室的工程师Mohamed M. Atalla（·阿塔拉，埃及裔）与Dawon Kahng（姜大元，韩裔）共同发明了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。

  MOSFET发明后，被贝尔实验室忽视。又过了很多年，1967年，姜大元与Simon Min Sze（施敏，华裔）提出，基于MOS半导体器件的浮栅，可用于可重编程ROM的存储单元。

  这是一个很重要的发现。后来的事实上，MOSFET是半导体存储器存储单元的重要基础元件，能够说是奠基性技术。

  当时，慢慢的变多的企业（摩托罗拉、英特尔、德州仪器、AMD等）加入到半导体存储的研究中，尝试发明可以重复读写的半导体存储，提升PROM的灵活性。

  正是基于MOSFET的创想，1971年，英特尔公司的多夫·弗罗曼（Dov Frohman，以色列裔），率先发明了EPROM（user-erasable PROM，可擦除可编程只读存储器）。

  同样是1971年，英特尔推出了自己的2048位EPROM产品——C1702，采用p-MOS技术。

  当时，EEPROM虽然已然浮现，但任旧存在一些问题。最主要的问题，就是擦除速度太慢。

  1980年，改变整个行业的人终于出现了，他的名字叫舛冈富士雄（Fujio Masuoka，“舛”念chuǎn）。

  舛冈富士雄是日本东芝（Toshiba）公司的一名工程师。他发明了一种全新的、能快速进行擦除操作的浮栅存储器，也就是——“simultaneously erasable（同步可擦除） EEPROM”。

  这个新型EEPROM擦除数据的速度极快，舛冈富士雄的同事根据其特点，联想到照相机的闪光灯，于是将其取名为FLASH（闪存）。

  遗憾的是，舛冈富士雄发明Flash闪存后，并没有正真获得东芝公司的充分重视。东芝公司给舛冈富士雄发了一笔几百美金的奖金，然后就将这个发明束之高阁。

  原因很简单。这一时期，日本DRAM正强势碾压美国，所以，东芝公司想要继续巩固DRAM的红利，不打算深入推动Flash产业。

  1984年，舛冈富士雄在IEEE国际电子元件会议上，正式公开发表了自己的发明（NOR Flash）。

  英特尔非常看重FLASH技术的前景。会议结束后，他们拼命打电话给东芝，索要FLASH的样品。收到样品后，他们又立刻派出300多个工程师，全力研发自己的版本。

  1988年，英特尔基于舛冈富士雄的发明，生产了第一款商用型256KB NOR Flash闪存产品，用于计算机存储。

  NOR是“或非（NOT OR）”的意思，NAND是“与非（NOT AND）”的意思。这样的命名和它们自身的基础架构有关系。

  如下图所示，NOR Flash是把存储单元并行连到位线上。而NAND Flash，是把存储单元串行连在位线上。

  NOR Flash存储器，能轻松实现按位随机访问。而NAND Flash，只能同时对多个存储单元同时访问。

  对于NOR Flash，如果任意一个存储单元被相应的字线选中打开，那么对应的位线，这种关系和“NOR门电路”相似。

  而NAND Flash，需要使一个位线上的所有存储单元都为 1，才能使得位线，和 “NAND门电路”相似。

  看不懂？没关系，反正记住：NAND Flash比NOR Flash成本更低。

  FLASH（闪存）产品出现后，因为容量、性能、体积、可靠性、能耗上的优势，获得了用户的认可。英特尔也凭借其先发的闪存产品，取得了产业一马当先的优势，赚了不少钱。

  搞笑的是，在英特尔公司取得成功后，东芝不仅没有反省自己的失误，反而声称FLASH是英特尔公司的发明，不是自家员工舛冈富士雄的发明。

  这把舛冈富士雄给气得不行，后来（2006年），舛冈富士雄起诉了公司，并索要10亿日元的补偿。最后，他和东芝达成了和解，获赔8700万日元（合75.8万美元）。

  1988年，艾利·哈拉里（Eli Harari）等人，正式创办了SanDisk公司（闪迪，当时叫做SunDisk）。

  1989年，SunDisk公司提交了系统闪存架构专利（“System Flash”），结合嵌入式控制器、固件和闪存来模拟磁盘存储。这一年，英特尔开始发售512K和1MB NOR Flash。

  1989年，闪存行业还有一件很重要的事情，在以色列，有一家名叫M-Systems的公司诞生。他们首次提出了闪存盘的概念，也就是后来的闪存SSD硬盘。

  进入1990年代，随着数码相机、笔记本电脑等市场需求的爆发，FLASH技术开始大放异彩。

  东芝也开始发力，陆续推出了全球首个4MB和16MB的NAND Flash。

  1992年，英特尔占据了FLASH市场占有率的75%。排在第二位的是AMD，只占了10%。除了他俩和闪迪之外，行业还陆续挤进了SGS-Thomson、富士通等公司，竞争开始逐渐变得日趋激烈。

  这一年，AMD和富士通先后推出了自己的NOR Flash产品。闪存芯片行业年收入达到2.95亿美元。

  1993年，美国苹果公司正式推出了Newton PDA产品。它采用的，就是NOR Flash闪存。

  1994年，闪迪公司第一个推出CF存储卡（Compact Flash）。当时，这种存储卡基于Nor Flash闪存技术，用于数码相机等产品。

  1996年，东芝推出了SmartMedia卡，也称为固态软盘卡。很快，三星开始发售NAND闪存，闪迪推出了采用MLC串行NOR技术的第一张闪存卡。

  1997年，手机开始配置闪存。从此，闪存继数码相机之后，又打开了一个巨大的消费级市场。

  这一年，西门子和闪迪合作，使用东芝的NAND Flash技术，开发了著名的MMC卡（Multi Media Memory，多媒体内存）。

  1999年8月，因为MMC能轻松盗版音乐，东芝公司对其进行了改装，添加了加密硬件，并将其命名为SD（Secured Digital）卡。

  整个90年代末，受益于手机、数码相机、便携式摄像机、MP3播放器等消费数码产品的爆发，FLASH的市场规模迅猛提升。当时，市场一片繁荣，参与的企业也数量众多。其中，最具竞争力的，是三星、东芝、闪迪和英特尔。

  2000年，M-Systems和Trek公司发布了世界上第一个商用USB闪存驱动器，也就是我们很熟悉的U盘。

  当时，U盘的专利权很复杂，多家公司声称拥有其专利。中国的朗科，也在1999年获得了U盘的基础性专利。

  90年代末，NAND Flash就慢慢的开始崛起。进入21世纪，崛起的势头更加迅猛。

  2001年，东芝与闪迪宣布推出1GB MLC NAND。闪迪自己也推出了首款NAND系统闪存产品。

  2004年，NAND的价格首次基于同等密度降至DRAM之下。巨大的成本效应，开始将计算机推进闪存时代。

  此前的功能机时代，手机对内存的要求不高。NOR Flash属于代码型闪存芯片，凭借NOR+PSRAM的XiP架构（XiP，Execute In Place，芯片内执行，即应用程序不必再把代码读到系统RAM中，而可以直接在Flash闪存内运行），得到普遍应用。

  进入智能机时代，有了应用商店和海量的APP，NOR Flash容量小、成本高的缺点就不足以满足用户需求了。

  于是，NOR Flash的市场占有率开始被NAND Flash大量取代，市场不断萎缩。

  2008年左右，从MMC开始发展起来的eMMC，成为智能手机存储的主流技术。

  eMMC即嵌入式多媒体卡（embedded Multi Media Card），它把MMC（多媒体卡）接口、NAND及主控制器都封装在一个小型的BGA芯片中，主要是未解决NAND品牌差异兼容性等问题，方便厂商快速简化地推出新产品。

  2015年左右，三星、镁光、Cypress等公司，都逐步退出了NOR Flash市场，专注在NAND Flash领域进行搏杀。

  最终，形成了由三星、铠侠（东芝）、西部数据、镁光、SK 海力士、Intel等巨头为主导的集中型市场。直到现在，也是如此。

  在NAND闪存市场里，这些巨头的份额加起来，超过95%。其中，三星的市场占有率是最高的，到达了33-35%。

  正如之前DRAM那篇文章所说，到了2012年左右，随着2D工艺制程逐渐进入瓶颈，半导体开始步入了3D时代。NAND Flash这边，也是如此。

  2012 年，三星正式推出了第一代 3D NAND闪存芯片。随后，闪迪、东芝、Intel、西部数据纷纷发布3D NAND产品。闪存行业郑重进入3D时代。

  此后，3D NAND技术持续不断的发展，堆叠层数不断的提高，容量也慢慢的变大。

  3D NAND存在多种路线。以三星为例，在早期的时候，三星也研究过多种3D NAND方案。最终，他们选择量产的是VG垂直栅极结构的V-NAND闪存。

  目前，根据媒体的消息，三星已完成了第八代V-NAND技术产品的开发，将采用236层3D NAND闪存芯片，单颗Die容量达1Tb，工作速度为2.4Gb/秒。

  今年5月份，镁光已经宣布推出232层的3D TLC NAND闪存，并准备在2022年末开始生产。韩国的SK海力士，更是发布了238层的产品。

  以TWS耳机为代表的可穿戴设备、电子设备屏幕显示的AMOLED（有源矩阵有机发光二极体面板）和TDDI（触屏）技术，以及功能越来越强大的车载电子领域，对NOR Flash产生了极大的需求，也带动了NOR Flash市场的强劲复苏。

  受此利好影响，加上很多大厂此前已经放弃或缩减了NOR Flash规模（镁光和Cypress持续减产），所以，一些第二梯队的企业获得了机会。

  其中，就包括中国台湾的旺宏、华邦，还有中国大陆的兆易创新。这三家公司的市场占有率，约占26%、25%、19%，加起来的线%。

  近年来，如大家所见，随着FLASH芯片价格的不断下降，个人家庭及企业用户开始大规模采用闪存，以及SSD硬盘。SSD硬盘的出货量，逐渐超过HDD机械硬盘。存储介质的更新换代，又进入新的高峰。

  未来，闪存的市场占比将会促进扩大。在这样的趋势下，不仅我们个人和家庭用户的存储使用体验将会变得更好，整个社会对存力的需求也能够获得进一步的满足。

  4、《闪存技术的50多年发展史》，存储在线、《存储大厂又一次豪赌》，半导体行业观察；

  9、《计算机存储历史》，中国存储网；10、《3D NAND闪存层数堆叠竞赛，200+层谁才是最优方案？》，闪存市场；

  往期精彩回顾▼新赛道来临！国产功率半导体准备换道超车IPO骨折价、独角兽倒闭，无人驾驶 “熄火”了？

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